Tm:YLF晶體案例 (一) -3*3*20mm Read More ?
Tm:YLF晶體案例 (一) -3*3*20mm最先出現(xiàn)在芯飛睿。
]]>品名 | 規(guī)格/mm | 備注 |
Tm:YLF | 3*3*20mm | 雙拋,鍍膜 |
加工指標(biāo)
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Tm:YLF晶體案例 (一) -3*3*20mm最先出現(xiàn)在芯飛睿。
]]>藍(lán)寶石案例(一)-φ15.6*4mm Read More ?
藍(lán)寶石案例(一)-φ15.6*4mm最先出現(xiàn)在芯飛睿。
]]>品名 | 規(guī)格/mm | 備注 |
藍(lán)寶石 | φ15.6*4mm | 雙面拋光 |
加工指標(biāo)
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藍(lán)寶石案例(一)-φ15.6*4mm最先出現(xiàn)在芯飛睿。
]]>2940nm全反鏡案例(一)最先出現(xiàn)在芯飛睿。
]]>品名 | 規(guī)格/mm | 備注 |
全反鏡 | 規(guī)格:φ12.7*6.35mm | 鍍膜:S1 HR@2940nm, R>99.8%, S2不鍍膜 |
加工指標(biāo)
鍍膜:S1 HR@2940nm, R>99.8%,
S2不鍍膜
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2940nm全反鏡案例(一)最先出現(xiàn)在芯飛睿。
]]>Yb:CaF2晶體案例(二)- DIA10 *10 mm Read More ?
Yb:CaF2晶體案例(二)- DIA10 *10 mm最先出現(xiàn)在芯飛睿。
]]>品名 | 規(guī)格/mm | 備注 |
2%Yb:CaF2 晶體 | DIA10 *10 mm
(尺寸公差:+/-0.05mm) |
雙面拋光
鍍膜 |
加工指標(biāo)
鍍膜 ,2% Yb ,無Na, 低溫用
低溫用,(80K),常溫下, 吸收率 約 92%@980nm
雙面拋光(on dia 10 mm surface)
拋光:激光級別
最高等損傷鍍膜 >10J/cm2
側(cè)面圓柱面區(qū)域鍍金屬
表面質(zhì)量:20-10;S-D (鍍膜后)
平面度:L/8@632 nm
垂直度:<15′
平行度:<15”
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Yb:CaF2晶體案例(二)- DIA10 *10 mm最先出現(xiàn)在芯飛睿。
]]>Yb:KGW 晶體案例(一)- 3*3*5mm Read More ?
Yb:KGW 晶體案例(一)- 3*3*5mm最先出現(xiàn)在芯飛睿。
]]>品名 | 尺寸/mm | 備注 |
5%YbKGW 晶體 | 3*3*5mm | 晶體方向:Np
端面雙拋 (3*3mm) 不鍍膜 |
5%YbKGW 晶體 | 3*3*2mm | 晶體方向:Np
端面雙拋 (3*3mm) 不鍍膜 |
加工指標(biāo)
直徑公差:3(+/-0.1)×3(+/-0.1)mm
厚度:2(+/-0.1)mm
角度公差:Np-cut+0.5°
表面質(zhì)量:≤40-20
平整度: ≤λ/6@633nm
波前畸變:≤ λ/4@633nm
平行度: ≤30sec
垂直度: ≤15min
倒角: ≤0.1mm×45°
通光孔徑: ≥90%
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Yb:KGW 晶體案例(一)- 3*3*5mm最先出現(xiàn)在芯飛睿。
]]>Cr:ZnSe晶體案例(二)最先出現(xiàn)在芯飛睿。
]]>品名 | 規(guī)格/mm | 備注 |
Cr:ZnSe | 2*2*2.5mm | 雙拋 |
加工指標(biāo)
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Cr:ZnSe晶體案例(二)最先出現(xiàn)在芯飛睿。
]]>YVO4晶體案例(一) – 3*3*30mm/3*3*20mm Read More ?
YVO4晶體案例(一) – 3*3*30mm/3*3*20mm最先出現(xiàn)在芯飛睿。
]]>品名 | 規(guī)格/mm | 備注 |
YVO4 | 3*3*30mm | 方向:a切
鍍膜:雙面AR@1850-2550nm |
YVO4 | 3*3*20mm | 方向:a切
鍍膜:雙面AR@1850-2550nm |
加工指標(biāo)
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YVO4晶體案例(一) – 3*3*30mm/3*3*20mm最先出現(xiàn)在芯飛睿。
]]>KGW晶體案例(一)最先出現(xiàn)在芯飛睿。
]]>品名 | 規(guī)格/mm | 備注 |
KGW | 5*5*6.02mm | 加工要求和晶體切割方向,如附件。 |
KGW | 5*5*3.1mm | 加工要求和晶體切割方向,如附件。 |
加工指標(biāo)
尺寸公差:±0.1mm
5*5通光面雙面拋光雙面拋光(9X9 mm)
S面、S2面:
拋光,平面度誤美<2/4 @632.8nm
兩通光面保持平行,平行度誤差<10arcsec
晶體切割方向:通光面垂直于光軸,垂直度誤差<10arcmin
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KGW晶體案例(一)最先出現(xiàn)在芯飛睿。
]]>Glass+Er,Yb:glass+Co:spinel鍵合晶體案例(一) Read More ?
Glass+Er,Yb:glass+Co:spinel鍵合晶體案例(一)最先出現(xiàn)在芯飛睿。
]]>品名 | 規(guī)格/mm | 備注 |
92高溫鍵合 | 整體長度8.2±0.1mm,鈷尖晶石T0=93.5%。
Er玻璃長度2.7mm。 根據(jù)總長度確定白玻璃長度。 PR膜采用R=92%。 |
鍍膜見下面要求 |
92高溫鍵合S | 整體長度7.6±0.1mm,鈷尖晶石T0=94.5%。
Er玻璃長度2.7mm。 根據(jù)總長度確定白玻璃長度。 PR膜采用R=92%。 |
鍍膜見下面要求 |
加工指標(biāo)
要求鍵合采用鈷尖晶石基片的吸收系數(shù)為0.4cm-1。根據(jù)該系數(shù)計(jì)算下來T0=93.5%時的鈷尖晶石長度約為1.68mm,T0=94.5%時的鈷尖晶石長度約為1.41mm。如果吸收系數(shù)不同,則根據(jù)T0的要求計(jì)算下來的鈷尖晶石長度會有較明顯不同。加工時請以T0為主,根據(jù)所用基片的實(shí)際吸收系數(shù)確定鈷尖晶石長度。
J01 – S1面:AR@915-960nm,R<0.3%;HR@1535±5nm,R>99.8%;損傷閾值不低于40J/cm2;
S2面:PR@1535±5nm,R=92%±0.3%;HR@915-960nm,R>99.3%。損傷閾值不低于40J/cm2。
J04 – S1面:AR@915-960nm,R<0.3%;HR@1535±5nm,R>99.8%;損傷閾值不低于40J/cm2;
S2面:PR@1535±5nm,R=92%±0.3%;HR@915-960nm,R>99.3%。損傷閾值不低于40J/cm2。
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Glass+Er,Yb:glass+Co:spinel鍵合晶體案例(一)最先出現(xiàn)在芯飛睿。
]]>Cr:YAG 晶體案例(四)最先出現(xiàn)在芯飛睿。
]]>品名 | 規(guī)格/mm | 備注 |
Cr:YAG | 5*5 | 初始透過率:T0=83%
鍍膜:AR/AR@1064nm |
加工指標(biāo)
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Cr:YAG 晶體案例(四)最先出現(xiàn)在芯飛睿。
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